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美国,KRI,射频离子源,RFICP,100

发布时间:2021-04-15
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公司基本资料信息
单价:面议
供货总量:未填写
所在地:广东 深圳市
起订量:未填写
发货期限:自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至:长期有效
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产品详细说明
    产品描述

 

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 100, 离子束可选聚焦, 平行, 散射.

KRI 射频离子源属于大面积射频离子源 (栅网离子源), 离子束流: >350 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 流量(Typical flow):5-30 sccm

采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.

离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.

适用于离子溅镀和离子蚀刻, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 

美国 KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数:

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数:

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型号

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RFICP 100

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Discharge

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RFICP 射频

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离子束流

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>350 mA

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离子动能

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100-1200 V

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栅极直径

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10 cm Φ

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离子束

portant;">

聚焦, 平行, 散射

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流量

portant;">

5-30 sccm

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通气

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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

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典型压力

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< 0.5m Torr

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长度

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23.5 cm

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直径

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19.1 cm

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中和器

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LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

美国 KRI 射频离子源 RFICP 100 应用领域:

伯东KRI 考夫曼离子源 RFICP 100 应用领域:

1. 预清洗

2. 表面改性

3. 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,

4. 溅镀和蒸发镀膜 PC

5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD

6. 离子蚀刻 IBE

 
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