产品简介
高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
部分技术参数
最大输出功率：E300:350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；
输出电压建立时间典型值：< 5ms；
输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴）；
扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；
通信接口：RS232、以太网；
保护：支持急停、高压互锁保护；
触发：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸2U机箱，深度：520mm(不包含挂耳及急停按钮)
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
聚焦第三代半导体领域高端测试设备的国产化，武汉普赛斯仪表有限公司坚持自主创新研发，积极打造对标进口、国内领先的实验与测试平台。公司掌握多项电性能测试核心专利技术，产品电流覆盖pA至kA，电压覆盖μV至kV。以源表为核心，创新打造了半导体参数分析仪、功率器件静态参数测试系统、功率器件动态参数测试系统等产品，以高效率、高精度、低成本为核心，实现市场应用的集成创新。欲了解更多功率半导体测试电源高压程控电源信息，欢迎随时咨询普赛斯仪表！
