IGBT测试难点：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。
IGBT测试设备功率半导体静态测试机特点和优势：
高电压：支持高达3.5KV高电压测试；
大电流：支持高达2KA大电流测试；
高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；
模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；
测试效率高：可自动切换、一键测试；
温度范围广：支持常温、高温测试；
兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；
系统参数
| 项目 | 参数 | |
| 集电极-发射极 | 最大电压 | 3500V |
| 最大电流 | 1000A(可拓展至3000A) | |
| 准确度 | ±0.1% | |
| 大电压上升沿 | 典型值5ms | |
| 大电流上升沿 | 典型值15μs | |
| 大电流脉宽 | 50μs~500μs | |
| 漏电流测试量程 | 1nA~100mA | |
| 栅极-发射极 | 最大电压 | 300V |
| 最大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
| 准确度 | ±0.05% | |
| 最小电压分辨率 | 30μV | |
| 最小电流分辨率 | 10pA | |
| 电容测试 | 典型精度 | ±0.5% |
| 频率范围 | 1KHz~2MHz | |
| 电容值范围 | 0.1pF~300nF | |
| 温控 | 范围 | 25℃~200℃ |
| 准确度 | ±2℃ | |
测试项目
二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、 正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线
三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、 电流传输比CTR、隔离电容CIO
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武汉普赛斯仪表有限公司 陶女士
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PMST系列功率器件静态参数测试系统，是普赛斯仪表经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的卓越表现。
此外，普赛斯仪表功率半导体静态参数测试解决方案还支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。同时，该方案还可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。从pA级、mV级，到kA级源表，普赛斯的产品解决了国内企业在半导体芯片以及第三代半导体芯片测试中的仪表国产化问题，并在客户IGBT产线上推出了多条测试示范线，引领了国内IGBT测试的技术潮流。
| 法定代表人 | 周鹏 | ||
| 注册资本 | 3000万元 | ||
| 主营产品 | 数字源表,脉冲源表,插卡式源表,脉冲恒流源,高压程控电源,功率器件测试系统,半导体参数分析仪 | ||
| 经营范围 | 仪器仪表、电子产品的研发、生产、销售；电子技术服务；软件开发及技术服务；货物进出口、技术进出口、代理进出口（不含国家禁止或限制进出口的货物及技术）。（涉及许可经营项目，应取得相关部门许可后方可经营） | ||
| 公司简介 | 武汉普赛斯仪表有限公司坐落于国家高新技术产业基地“武汉·中国光谷”，是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业，拥有以硕士、博士学历为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。 普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、台式大电流脉冲源表、CS/PXIe系列插卡式源表、高精度脉冲大电流源、高精度高压电源、数据采集卡、功率器件静态参数测试系统、半导体参数分析仪等。主要应用于半导体器件的测试工艺，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定义解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台，以及相关技术服务，满足行业对测试效率、测试精度，以及低成本的挑战。 武汉普赛斯将以服务客户为中心，追求可持续发展为道路，精益求精，坚持不懈，努力将自身打造成行业标杆 | ||
