特稿
半导体参数测试仪igbt检测仪
武汉普赛斯半导体参数测试仪igbt检测仪具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、纳安级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、输出电容、反向传输电容等
半导体参数测试仪
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特稿
国产半导体参数分析仪iv+cv曲线测试仪
具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有着越的测量效率与可靠性
