特稿
半导体参数测试仪igbt检测仪
武汉普赛斯半导体参数测试仪igbt检测仪具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、纳安级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试,如输入电容、输出电容、反向传输电容等
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武汉普赛斯半导体参数测试仪igbt检测仪具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、纳安级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试,如输入电容、输出电容、反向传输电容等
功率器件测试系统igbt/mos静态参数测试机覆盖IV,CV,跨导等丰富测试功能,全量程0.1%精度,15us超快上升沿,支持恒压限流,恒流限压模式,可定制化夹具,用于晶圆,芯片,器件,模块及IPM全面测试
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